| 发明名称 | 具有解理表面的半导体器件 | ||
| 摘要 | 制备一种光发射器件，在具有{11-20}面(面a)作主表面的衬底1上，形成具有含至少第一包层6、光发射层7、和第二包层8的叠层结构的半导体2；在加热条件下，在{1-102}面(面r)解理，使半导体层2和衬底1一起断裂，以在上述衬底上形成一对端面，同时，在半导体层2上形成沿衬底1的上述一对端面延伸的端面3。 | ||
| 申请公布号 | CN1158017A | 申请公布日期 | 1997.08.27 |
| 申请号 | CN96117948.1 | 申请日期 | 1996.12.25 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 森田悦男;河合弘治 |
| 分类号 | H01S3/18 | 主分类号 | H01S3/18 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：衬底；和在所述衬底上至少有由含N和选自{Ga，Al，In}中的至少一种元素的半导体化合物构成的一层；所述衬底具有一对偏离所述衬底{1-102}面5度以内的端面。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||