| 发明名称 |
MANUFACTURING METHOD OF GATE ELECTRODE OF DUAL GATE TYPE CMOS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH09223676(A) |
申请公布日期 |
1997.08.26 |
| 申请号 |
JP19960028215 |
申请日期 |
1996.02.15 |
| 申请人 |
SONY CORP |
发明人 |
KUBOTA MICHITAKA;MATSUMOTO KOICHI |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/8238;H01L23/52;H01L27/092;H01L29/423;H01L29/49;(IPC1-7):H01L21/28;H01L21/306;H01L21/320;H01L21/823 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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