| 主权项 |
1.一种光阻之图型的检测方法,适用于晶粒之间具有切割道的晶圆,而上述光阻之图型的检测方法包括下列步骤:于上述晶圆上形成被处理层,并于上述切割道上形成至少二检测图型基部,且上述检测图型基部的高度大体分别等于上述被处理层的最高及最低的高度;于上述晶圆上形成光阻层;提供光罩,且上述光罩具有电路图型及于上述电路图型之间之对应于上述检测图型基部的复数检测图型,同时上述检测图型具有对应于上述电路图型之最小线宽的线宽;藉由上述光罩而对上述光阻层施行曝光,并施行显影,而于晶粒上的光阻层形成上述电路图型,且于上述检测图型基部上的光阻层形成上述检测图型;以及检视上述光阻层的检测图型。2.如申请专利范围第1项所述的光阻之图型的检测方法,其中上述检测图型更具有用以识别上述被处理层的识别记号。3.如申请专利范围第1或2项所述的光阻之图型的检测方法,其中上述检测图更具有不同于上述最小线宽的线宽。4.如申请专利范围第3项所述的光阻之图型的检测方法,其中上述被处理层为介电层,而上述检测图型为方块。5.如申请专利范围第3项所述的光阻之图型的检测方法,其中上述被处理层为复晶矽层,而上述检测图型为水平线及垂直线。6.如申请专利范围第3项所述的光阻之图型的检测方法,其中上述被处理层为金属层,而上述检测图型为水平线、垂直线及倾斜线。图示简单说明: 第一图系显示曝光用步进机的示意图; 第二图系显示以测试晶圆施行曝光测试的示意图; 第三图系显示产品晶圆实际上曝光的示意图; 第四图系显示用以说明本发明之光阻之图型的检测方法之晶圆的平面图; 第五图系显示沿着第四图中V-V线所取的剖面图; 第六图系显示用以说明本发明之光阻之图型的检测方法之光罩的平面图; 第七图(a)及(b)系显示本发明之检测图型之第一例的示意图; 第八图(a)及(b)系显示本发明之检测图型之第二例的示意图; 第九图(a)及(b)系显示本发明之检测图型之第三例的示意图。 |
