| 主权项 |
1.一种嵌入式闸极电晶体元件的制造方法,其包括下列步骤:(a)形成一场氧化层以界定元件区;(b)对该基底作离子布植程序以形成淡掺杂源/汲极区;(c)于该基底表面依序形成一垫氧化层、一遮蔽层、及一绝缘层;(d)利用微影成像制程定义图案,以露出欲形成闸极的区域;(e)藉由蚀刻程序于前述闸极欲露出之区域形成一嵌入基底之凹槽;(f)对前述遮蔽层进行蚀刻使该凹槽之垫氧化层上方呈一倒T型开口;(g)于该凹槽形成一闸极氧化层,并以前述绝缘层及遮蔽层为罩幕,对该嵌入基底之凹槽作大角度之离子布植;(h)填充一导电材料于该凹槽内并回蚀刻以构成一导电层;(i)蚀刻去除前述绝缘层及遮蔽层,使闸极氧化层与导电层形成一嵌入基底之闸极电极,并以该闸极电极为罩幕,对基底进行离子布植程序而另构成一浓渗杂源/汲极;及(j)沈积一介电质层,完成该电晶体元件之制造。2.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中,步骤(c)之垫氧化层,系利用化学气相沈积法沈积一厚度介于50埃至300埃的二氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中,步骤(c)之遮蔽层,系利用化学气相沈积法沈积一厚度介于300埃至1000埃的氮化矽层。4.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中,步骤(c)之绝缘层,系利用化学气相沈积法沈积一厚度介于1000埃至3000埃的二氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中,步骤(d)系藉在前述绝缘层表面涂布光阻层,并经微影成像制程定义图案以露出欲形成闸极之区域。6.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中步骤(e)之蚀刻程序为,以非等向性蚀刻方式依序蚀刻前述之绝缘层、遮蔽层、及垫氧化层,并对基底进行沟槽蚀刻1000埃至3000埃。7.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中,步骤(f)系利用等向性蚀刻或湿蚀刻法对遮蔽层蚀刻250埃至2000埃。8.如申请专利范围第7项所述的制造方法,其中,步骤(f)之等向性蚀刻或湿蚀刻可藉热磷酸溶液浸泡5至40分钟达成。9.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中,步骤(h)之导电材料为复晶矽,可藉化学气相沈积法沈积2000埃至5000埃,并经回蚀刻后形成一填充该凹槽之导电层。10.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中,步骤(h)之导电材料为复晶矽与金属矽化物之双层结构,可藉化学气相沈积法沈积2000埃至5000埃,并经回蚀刻后形成一填充该凹槽之导电层。11.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中,步骤(j)之介电质层,可藉化学气相沈积法沈积一硼磷矽玻璃而成。12.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中在嵌入式二氧化矽层闸极电极形成时,于前述场氧化层表面亦自动形成一倒T型结构。13.一种嵌入式闸极电晶体元件的制造方法,其包括下列步骤:(a)形成一场氧化层以界定元件区;(b)于该基底表面依序形成一垫氧化层、一遮蔽层、及一绝缘层;(c)利用微影成像制程定义图案,以露出欲形成闸极的区域;(d)藉由蚀刻程序于前述闸极欲露出之区域形成一嵌入基底之凹槽;(e)对前述遮蔽层进行蚀刻使该凹槽之垫氧化层上方呈一倒T型开口;(f)以前述绝缘层及遮蔽层为罩幕,对该嵌入基底之凹槽作大角度之离子布道,然后于该凹槽形成一闸极氧化层;(g)填充一导电材料于该凹槽内并回蚀刻以构成一导电层;(h)蚀刻去除前述绝缘层及遮蔽层,使用极氧化层与导电层形成一嵌入基底之闸极电极,并以该闸极电极为罩幕,对基底进行离子布植程序以同时构成一淡渗杂源/汲极区及一浓掺杂源/汲极;(i)沈积一介电质层,完成该电晶体元件之制造。14.如申请专利范围第13项所述的制造方法,其中,步骤(b)之垫氧化层,系利用化学气相沈积法沈积一厚度介于50埃至300埃的二氧化矽层。15.如申请专利范围第13项所述的制造方法,其中,步骤(b)之遮蔽层,系利用化学气相沈积法沈积一厚度介于300埃至1000埃的氮化矽层。16.如申请专利范围第13项所述的制造方法,其中,步骤(b)之绝缘层,系利用化学气相沈积法沈积一厚度介于1000埃至3000埃的二氧化矽层。17.如申请专利范围第13项所述的制造方法,其中,步骤(c)系藉在前述绝缘层表面涂布光阻层,并经微影成像制程定义图案以露出欲形成闸极之区域。18.如申请专利范围第13项所述的制造方法,其中步骤(d)之蚀刻程序为,以非等向性蚀刻方式依序蚀刻前述之绝缘层、遮蔽层、及垫氧化层,并对基底进行沟槽蚀刻1000埃至3000埃。19.如申请专利范围第13项所述的制造方法,其中,步骤(e)系利用等向性蚀刻或湿蚀刻法对遮蔽层蚀刻250埃至2000埃。20.如申请专利范围第19项所述的制造方法,其中,步骤(e)之等向性蚀刻或湿蚀刻可藉热磷酸溶液浸泡5至40分钟达成。21.如申请专利范围第13项所述的制造方法,其中,步骤(g)之导电材料为复晶矽,可藉化学气相沈积法沈积2000埃至5000埃,并经回蚀刻后形成一填充该凹槽之导电层。22.如申请专利范围第13项所述的制造方法,其中,步骤(g)之导电材料为复晶矽与金属矽化物之双层结构,可藉化学气相沈积法沈积2000埃至5000埃,并经回蚀刻后形成一填充该凹槽之导电层。23.如申请专利范围第13项所述的制造方法,其中,步骤(i)之介电质层,可藉化学气相沈积法沈积一硼磷矽玻璃而成。24.如申请专利范围第13项所述的制 坏b导体装置, 肊珩ㄔ耵卤蛚謢 |
