| 摘要 |
<p>Die bekannten Verfahren erfordern einen hohen apparativen Aufwand bei Niederdruck-Glimmentladungen, um die Generatorleistung auf die beiden Elektroden aufzuteilen und statisch und dynamisch zu steuern. Es war vor allem bisher nicht möglich, diese Steuerung für hohe Leistungen und einen großen Frequenzbereich zu realisieren. Eine in-situ gemessene Prozeßgröße soll steuerbar und regelbar sein. Erfindungsgemäß wird die Gleichspannung mittels einer Vier-Quadranten-Gleichspannungsversorgung erzeugt. Die Gleichspannungsversorgung ist dazu wechselspannungsmäßig entkoppelt und mit einem Pol mit der Wechselspannungsversorgung und mit dem anderen Pol mit einer Elektrode der bipolaren Glimmeinrichtung verbunden. Die Gleichspannung wird in Abhängigkeit von einer Prozeßgröße der Glimmentladung derart eingestellt, daß sich ein bestimmtes Verhältnis der Leistungsverteilung zwischen beiden Elektroden einstellt. Die Erfindung findet Anwendung bei der Plasmabehandlung von Oberflächen, Abscheidung von Schichten aus dem Plasma und der plasmagestützten Oberflächenreinigung.</p> |
