发明名称 Verfahren zur Herstellung von Halbleietervorrichtungen
摘要
申请公布号 DE69220830(D1) 申请公布日期 1997.08.21
申请号 DE19926020830 申请日期 1992.02.03
申请人 AT&T CORP., NEW YORK, N.Y., US 发明人 FULLOWAN, THOMAS ROBERT, NORTH PLAINFIELD, NEW JERSEY 07060, US;PEARTON, STEPHEN JOHN, SUMMIT, NEW JERSEY 07901, US;REN, FAN, WARREN, NEW JERSEY 07059, US
分类号 H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/331;H01L29/205;H01L29/73;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/302 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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