Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen durch i-Linien-Bestrahlung,申请号DE19945003359-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen durch i-Linien-Bestrahlung
摘要
申请公布号	DE59403359(D1)	申请公布日期	1997.08.21
申请号	DE19945003359	申请日期	1994.05.05
申请人	OCG MICROELECTRONIC MATERIALS, INC., WEST PATERSON, N.J., US	发明人	HUEGLIN, DIETMAR, DR., D-79104 FREIBURG, DE;ROHDE, OTTMAR, DR., D-79591 EIMELDINGEN, DE;FALCIGNO, PASQUALE ALFRED, D-4057 BASEL, CH;HAGEN, SIGURD, DR., D-79589 BINZEN, DE
分类号	C08G73/10;G03F7/029;G03F7/031;G03F7/037;G03F7/038;G03F7/30;G03F7/40;H01L21/312;H05K3/28;(IPC1-7):G03F7/038;G03F7/20	主分类号	C08G73/10
代理机构		代理人
主权项
地址