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发明名称 Reference potential generating circuit utilizing a difference in threshold between a pair of MOS transistors.
摘要
申请公布号 EP0637790(A3) 申请公布日期 1997.08.20
申请号 EP19940112058 申请日期 1994.08.02
申请人 NEC CORPORATION 发明人 TSUKADA, SHYUICHI
分类号 G05F3/24;H03F3/345;(IPC1-7):G05F3/24 主分类号 G05F3/24
代理机构 代理人
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