发明名称 |
制造磁阻头的方法 |
摘要 |
本发明的制造磁阻头的方法包括在构成磁阻器件的多层薄膜上形成有机薄膜、在有机薄膜上形成由抗蚀剂或无机薄膜组成的上面的薄膜、制作有机薄膜和上面的薄膜的图形,使有机薄膜图形的边缘从上面的薄膜图形的边缘向内凹入,从而使在上面的薄膜和多层薄膜上形成的薄的薄膜的颗粒不与有机薄膜图形的侧面部分接触的步骤。 |
申请公布号 |
CN1157453A |
申请公布日期 |
1997.08.20 |
申请号 |
CN96117959.7 |
申请日期 |
1996.12.25 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
渡部庆二;野崎耕司;五十岚美和;仓光庸子;矢野映;并木崇久;白泷博;大塚庆太;金峰理明;上原裕二 |
分类号 |
G11B5/39 |
主分类号 |
G11B5/39 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
杜日新 |
主权项 |
1.一种制造磁阻头的方法,包括步骤:在绝缘的非磁性层上形成构成磁阻器件的多层薄膜;在所述的多层薄膜上形成由有机物组成的第一薄膜;在所述的第一薄膜上形成第二薄膜;通过对所述的第二薄膜制作图形在预定的区域内形成窗口部分;通过经由所述的窗口部分刻蚀所述的第一薄膜、形成所述第一薄膜边缘的图形,它从所述的第二薄膜图形的边缘向内凹入,其程度使得在以后的步骤中在所述的第二薄膜上形成的薄的薄膜的颗粒不覆盖在所述的第一薄膜图形侧面部分周围;借助于真空工艺在所述的第二薄膜上和在所述的窗口下面的所述的多层薄膜上形成所述的薄的薄膜;和通过从所述的第一薄膜剥去所述的第二薄膜形成所述的薄的薄膜图形,并然后剥离在所述的第二薄膜上的所述的薄的薄膜。 |
地址 |
日本神奈川 |