集成电路中介电层的制造方法

摘要

一种集成电路中介电层的制造方法，其主要步骤如下：首先，沉积一层金属导电层，并利用活性离子式电浆蚀刻技术制定所述金属导电层的图案，使金属导电层图案并与半导体元件电性接触，然后利用等离子增强式化学沉积法沉积一介电层，其为介电层底层，最后以热解化学气相沉积法，利用四乙氧基硅烷和臭氧气体在介电层底层上沉积形成另一介电层，此介电层厚度均匀且可完全填满所述金属导电层图案之间的空隙，以达到平坦化效果。

主权项

1、一种集成电路中介电层的制造方法，其步骤包 括： 在一个半导体基板上形成半导体元件和金属导电层 图案； 然后，形成一介电层底层于所述金属导电层图案上 和所述半导体基板其它区域；其中介电层底层的制造条 件如下：利用等离子增强式化学气相沉积法沉积，其反 应物质为氧气加上四乙氧基硅烷，沉积物以PE-TE OS表示，沉积功率约为100瓦特，沉积完成PE- TEOS介电层底层后，始完成介电层底层的制作； 在介电层底层上，再沉积一伴有臭氧O₃气体的T EOS形成可流动性质的二氧化硅介电层，完全填满所 述金属导电层图案之间的空隙。