Monolithically integrated optical semiconductor assembly and method for making the same

摘要

Angegeben ist ein integriertes optoelektronisches Halbleiterbauelement, das Lichtsignale mit beliebiger Polarisationsrichtung in gleicher Weise verarbeiten kann. Solche Halbleiterbauelemente werden in der digitalen optischen Nachrichtenübertragung verwendet. Das Halbleiterbauelement hat aktive (A) und passive (P) Wellenleiterbereiche die aus einer Mehrzahl von Halbleiterschichten (SP) mit sogenannten Multiple Quantum Well Schichten bestehen. Die Halbleiterschichten (SP) sind mit einem als Selective Area Growth ,SAG bekannten Verfahren aufgebracht. Ein Teil der Halbleiterschichten hat eine Gitterkonstante, die kleiner ist als die Gitterkonstante eines Substrates (SUB). Dadurch stehen diese Schichten unter biaxialer Zugspannung. Die Zugspannung ist in den aktiven Wellenleiterbereichen (A) optimiert, um Polarisationsunabhängigkeit zu erreichen. Des weiteren ist ein Verfahren beschrieben, nach dem ein solches Halbleiterbauelement hergestellt werden kann. <IMAGE>