| 发明名称 |
MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH09219512(A) |
申请公布日期 |
1997.08.19 |
| 申请号 |
JP19960321625 |
申请日期 |
1996.12.02 |
| 申请人 |
L G SEMICON CO LTD |
发明人 |
OOKIYON KUON;FUUNNHO JIEON |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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