| 发明名称 |
SUBSTRAT EPITAXIAL A CONCENTRATION PROGRESSIVE POUR DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS A DIFFUSION PAR RESURF |
| 摘要 |
<P>Le substrat épitaxial d'un dispositif à puce à semi-conducteurs a une diffusion de resurf dans au moins un de ses puits isolés dans la surface de la puce du dispositif. Les puits sont séparés par des diffusions de jonction. L'épaisseur de la couche épitaxiale 10 est réduite en plaçant un pourcentage accru de sa charge totale pour une tension de claquage donnée (tension de perforation) dans la partie inférieure 40 de la couche.</P>
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| 申请公布号 |
FR2744836(A1) |
申请公布日期 |
1997.08.14 |
| 申请号 |
FR19970000467 |
申请日期 |
1997.01.17 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
RANJAN NIRAJ |
| 分类号 |
H01L23/58;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;(IPC1-7):H01L29/36;H01L21/823 |
主分类号 |
H01L23/58 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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