PROCESSO DI MASCHERATURA RIDOTTO PER LA FABBRICAZIONE DI DISPOSITIVI A PORTE MOS

摘要

Un processo per la realizzazione di un dispositivo a gate (porte) porte MOS nel quale uno strato di ossido viene configurato in modo da avere strati di ossido spessi e sottili adiacenti sopra una superficie di silicio. Il polisilicone viene quindi configurato durante il processo sopra lo strato di ossido con uno stadio di allineamento critico rispetto agli strati di ossido sottile. Il boro viene impiantato attraverso le regioni spesse e sottili dell'ossido che vengono esposte tramite la maschera di polisilicone per formare la regioni di base di tipo P e gli anelli di protezione di tipo P nel silicio. L'arsenico viene successivamente impiantato con un'energia per la quale gli atomi di arsenico penetrano solo nell'ossido sottile esposto tramite il polisilicone per formare le regioni di source (alimentazione) autoallineate nella regioni di base precedentemente formate. Una maschera di apertura di contatto che è allineata criticamente alla maschera di polisilicone forma delle aperture per realizzare il contatto con il silicio. Il dispositivo viene completato usando stadi di mascheratura di allineamento non critici.(Figura 6).