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<p>Beim UV-Strahlungsdetektor sind eine Photodiode (1) und eine Auswertelektronik mit Bipolartransistoren (29, 33) auf einem Halbleitersubstrat (2) integriert. Die Herstellung der Halbleiterschichten, welche einerseits für die Photodiode (1) und andererseits für die Bipolartransistoren (29, 33) gebraucht werden, erfolgt entkoppelt und erlaubt eine Optimierung der einzelnen Komponenten. Die Auswertelektronik wird mit Standard-IC-Prozessschritten hergestellt, die Photodiode (1) jedoch mit dazwischengeschobenen Zusatzschritten. Die Photodiode (1) besteht aus drei ineinander verschachtelten Halbleiterschichten (9-11) verschiedener Leitfähigkeitstypen, welche in einer Epitaxieschicht (5) auf dem Halbleitersubstrat (2) angeordnet sind. Die Photodioden-Halbleiterschichten (9-11) sind an Kontaktstellen durch Kontaktfenster in Oxidschichten (14, 15, 17) hindurch mit einer ersten, strukturierten Metallschicht (16) kontaktiert, welche ein Leitersystem bildet. Eine zweite Metallschicht (18) schirmt die elektronischen Komponenten vor elektromagnetischer Strahlung ab. Ein Interferenzfilter (23) und/oder ein Absorptionsfilter (24) erhöhen die spektrale Empfindlichkeit.</p> |
