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发明名称 Thermische Behandlungsvorrichtung für Halbleiter-Scheibe mit Ausschaltung der thermischen Donoren
摘要
申请公布号 DE69311982(D1) 申请公布日期 1997.08.14
申请号 DE19936011982 申请日期 1993.04.07
申请人 MITSUBISHI MATERIALS CORP., TOKIO/TOKYO, JP;MITSUBISHI MATERIALS SILICON CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 TSURUTA, SHOJI, C/O MITSUBISHI MAT. SILICON CORP., TOKYO, JP
分类号 H01L21/00;H01L21/677;(IPC1-7):H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
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