发明名称 DISPOSITIF A CIRCUIT INTEGRE DE PUISSANCE A GRILLE MOS
摘要 <P>L'invention concerne un dispositif de puissance à grille MOS.<BR/>Elle se rapporte à un dispositif qui comprend un dispositif (10) de puissance à grille MOS ayant des électrodes (11, 12) de sortie et une électrode de grille (12a) commandée par un circuit de signal d'entrée, un circuit (23) de contrôle de la température du dispositif (10) de puissance, donnant un signal de déconnexion du circuit du signal d'entrée de l'électrode de grille (12a) lorsque la température contrôlée dépasse une valeur prédéterminée, et au moins un premier circuit à condensateur (52) couplé au circuit (23) de contrôle de température et destiné à mémoriser le signal de sortie du circuit (23) de contrôle de température entre les impulsions de la tension Vcc .<BR/>Application aux transistors MOSFET de puissance.</P>
申请公布号 FR2744861(A1) 申请公布日期 1997.08.14
申请号 FR19970000929 申请日期 1997.01.29
申请人 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION 发明人 NADD BRUNO C
分类号 H03K17/08;H03K17/082;H03K17/14;(IPC1-7):H03K17/687;H03K17/22 主分类号 H03K17/08
代理机构 代理人
主权项
地址