| 发明名称 |
Method of forming a field oxide film in a semiconductor device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2291260(B) |
申请公布日期 |
1997.08.13 |
| 申请号 |
GB19950013225 |
申请日期 |
1995.06.29 |
| 申请人 |
* HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
SANG HOON * PARK |
| 分类号 |
H01L21/32;(IPC1-7):H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/32 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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