动态随机存取存储器件中的MOS场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种包括下列部分的场效应晶体管。在半导体衬底上配置绝缘膜。第一和第二多晶硅膜，使第一多晶硅膜通过第二多晶硅膜连至半导体衬底的预定区域中的周边部分。选择地设置栅绝缘膜，它在半导体衬底除周边部分之外的预定区域上延伸，并在第二多晶硅膜和围绕第二多晶硅膜的那部分第一多晶硅膜上延伸。在栅绝缘膜上设置栅极，在栅绝缘膜下限定复合沟道区。在除栅绝缘膜下的部分之外的第一多晶硅膜中选择地设置源区和漏区，使源区和漏区通过复合沟道区相连。

主权项

1一种场效应晶体管，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上设置绝缘膜，所述绝缘膜具有设置于所述半导体衬底的预定区域上的开口；在所述绝缘膜上设置第一多晶硅膜；与所述第一多晶硅膜相接触地设置第二多晶硅膜，所述第二多晶硅膜在所述绝缘膜的所述开口的内壁上和在所述半导体衬底的所述预定区域的周边部分上延伸，使所述第一多晶硅膜通过所述第二多晶硅膜连至所述半导体衬底的所述周边区域中的所述周边部分；选择地设置栅绝缘膜，它在所述半导体衬底除所述周边部分之外的所述预定区域上延伸，并在所述第二多晶硅膜和围绕所述第二多晶硅膜的那部分所述第一多晶硅膜上延伸；在所述栅绝缘膜上设置栅极，在所述栅绝缘膜下限定复合沟道区，使所述复合沟道区通过所述栅绝缘膜下的所述第一和第二多晶硅膜以及所述栅绝缘膜下的所述半导体衬底延伸；和在除所述栅绝缘膜下的部分之外的所述第一多晶硅膜中选择地设置源区和漏区，使所述源区和漏区通过所述复合沟道区相连。