A method for anodizing a polysilicon layer lower capacitor plate of a dram to increase capacitance,申请号EP19920107516-传众专利搜索

发明名称	A method for anodizing a polysilicon layer lower capacitor plate of a dram to increase capacitance
摘要
申请公布号	EP0513615(B1)	申请公布日期	1997.08.13
申请号	EP19920107516	申请日期	1992.05.04
申请人	MICRON TECHNOLOGY, INC.	发明人	SANDHU, GURTEJ S.
分类号	H01L21/02;H01L21/306;H01L21/321;H01L21/334;H01L21/8242;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/823	主分类号	H01L21/02
代理机构		代理人
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