| 主权项 |
1.一半导体单元的制造方法,此半导体单元具有至少一埋窗接触区,此方法包含将一多晶矽层藉非等向性乾蚀刻法去除以形成一多晶矽闸极,其特征在:该非等向性乾蚀刻法前,于该埋窗接触区表面形成一蚀刻阻挡层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中之蚀刻阻挡为矽化钛(TiSiC_2C)形式。3.一半导体单元的制造方法,此半导体单元具有至少一埋窗,包含下列步骤:(1)在一主动区上形成一闸极氧化层;(2)沈积一约500埃(Angstrom)厚度的薄多晶矽层;(3)薄多晶矽层上形成一邻矽酸四乙基酯反应的二氧化矽层;(4)以微像成影及显影技术在多晶矽层上形成一光阻罩层,以定义埋窗接触区图样;(5)将未被光阻保护的邻矽酸四乙基酯反应的二氧化矽层、薄多晶矽层藉非等向性乾蚀刻法直接(in-situ)去除;(6)于埋窗接触区上的薄闸极氧化层以HF基溶液的湿式浸法蚀刻去除;(7)高剂量磷离子植入埋窗接触区的窗口,以形成埋窗接触接面;(8)藉自动对准金属矽化物技术,形成一层自动对准金属矽化物,因而在钛与埋窗接触区的矽基材介面间形成一蚀刻阻挡区;(9)将于邻矽酸四乙基酯反应的二氧化矽层上的钛及氮化钛以选择性蚀刻法去除;(10)去除邻矽酸四乙基酯反应的二氧化矽层;(11)沈积一厚多晶矽层;(12)以三氯化磷醯(POClC_3C)掺杂该厚多晶矽层,以降低其阻値;(13)形成一光阻罩层以定义一闸极图样,将未被光阻保护的多晶矽藉非等向性蚀刻法去除以形成闸极。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中之蚀刻阻挡为矽化钛(TiSiC_2C)形成。第一至第四图揭露一习知方法于各个步骤所得到的结构。第五至第九图揭露本发明方法于各个步骤所得到的结构。 |
