| 主权项 |
1.一种半导体装置及制造方法,其特征为,具备:将SiH,及其后将半导体基板放置于所定真空中30秒以上之工程,及将半导体基板放置于300℃以上,450℃未满高温中120秒以上,600秒未满时间之工程。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造方法,更具备:前述放置120秒以上,600秒未满时间之工程后在前述Reflow SiOC_2C膜上形成第2绝缘膜之工程。3.如申请专利范围第2项所述之半导体装置之制造方法,其中在前述第2绝缘膜形成后,实施450℃,30分之炉中退火。4.一种半导体装置之制造方法,具备:将形成配线层之半导体基板搬入等离子CVD装置中之工程,及将0.1以上厚度之第1等离子SiOC_2C膜形成于前述半导体基板上之工程,及自前述等离子CVD装置将前述半导体基板搬送至减压CVD装置之工程,及将SiHC_4C气体,及HC_2COC_2C导入前述减压CVD装置内,使此等SiHC_4C气体,及HC_2COC_2C在650Pa以下真空中,-10℃以上+10℃以下之温度范围内互相反应,在上述半导体基板上形成具有Re flow形状之0.4m以上,1.4m以下厚度之Reflow SiOC_2C膜之工程,及前述Re flow SiOC_2C膜形成后,将前述半导体基板放置于前述减压CVD装置中30秒钟之工程,及自前述减压CVD装置将前述半导体基板搬送于前述等离子CVD装置之工程,及将前述半导体基板放置300℃以上,450℃未满温度中120秒以上,600秒未满时间之工程。5.如申请专利范围第4项所述之半导体装置之制造方法,更具备:前述120秒以上,600秒未满时间放置之工程后,在前述Reflow SiOC_2C膜上形成第2等离子SiOC_2C膜。6.如申请专利范围第5项所述之半导体装置之制造方法,在前述第2等离子SiOC_2C膜形成后,实施450℃,30分之炉火中退火。图一:概略表示本发明之半导体装置之制造方法使用之半导体制造装置之一例之构成说明图。图二:表示本发明之半导体装置之制造方法有关之层间绝缘膜形成工程采用Re flow绝缘膜形成技术之多层配线工程之一例之断面图。图三:表示就图一工程所得Re flow SiOC_2C膜,以其膜厚及Re flowSiOC_2C膜上形成之遢公井p为参数实施热处理时之裂痕发生状况予以实测结果之图。图四:表示就先前之半导体装置制造时,多层配线工程中之层间绝缘膜形成工程采用Re flow绝缘膜形成技术时所得之Reflow SiOC_2C膜,以其膜厚及Re flowSiOC_2C膜上形成之遢公井p为参数实施热处理时之裂痕发生状况予以实测结果之图。 |
