| 主权项 |
1.一种制造自行对准接触窗的制造方法,包括下列步骤:在一半导体基底上形成一场区氧化层,以界定出一主动区域;在该主动区域上形成一电晶体,该电晶体包括一闸氧化薄膜,一闸极以及源极/汲极区;在该源极/汲极区上形成一自行对准金属矽化物薄膜;在该金属矽化物薄膜上形成一第一介电薄膜;在该第一介电薄膜上形成一第二介电层薄膜以平坦化介电层表面,其中该第二介电层要比该第一介电层薄钗h;在该第二介电层上形成一第一复晶矽层;定义该第一复晶矽层图案以达成界定出一自行对准接触窗区域;利用一缓冲氧化蚀刻剂以湿式蚀刻将该第二介电层除去;以及除去该第一介电层薄膜,以暴露出该金属矽化物薄膜。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一介电薄膜包括以四乙烷基矽酸盐形成的一矽氧化物薄膜以及一矽氮化物薄膜。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该第一介电薄膜形成的步骤包括沈积厚度约为1000AA,以四乙烷基矽酸盐形成的该矽氧化物薄膜的步骤。4.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该第一介电薄膜形成的步骤包括沈积厚度约为300AA的该矽氮化物薄膜的步骤。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一介电层为硼磷矽玻璃。6.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中该第一介电层形成的步骤包括沈积厚度约为2000AA的该硼磷矽玻璃层。7.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中该第一介电层形成的步骤,进一步地包括以硼磷矽玻璃层在约800℃时的流动,使表面平坦化的步骤。8.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中除去该第二介电层的步骤包括以20:1的缓冲氧化蚀刻剂蚀刻该硼磷矽玻璃层的步骤。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第复晶矽层沈积的厚度约300AA。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中除去该第一介电薄膜的步骤包括以反应性离子蚀刻法蚀刻该第一介电薄膜的步骤。11.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一介电薄膜包括一矽氮化物层及一矽氧化物层。第1A-1D图绘示的是习知的一种利用SAC来制造动态随机存取记忆体(DRAM)的方法之截面示意图;以及第2A-2E图绘示的是应用本发明之一较佳实施例,一种利用SAC来制造DRAM的方法之截面示意图。 |
