| 主权项 |
1.一种形成渠沟结构的方法,包括下列步骤:提供一矽基底,在该矽基底上形成一隔离层;定义该隔离层,在预定的位置形成至少一开口;形成一耐火金属层,填满该开口;通入气体,进行矽化金属制程,在该开口下方之该矽基底中形成一矽化金属层;以及去除该耐火金属层以及矽化金属层,在该开口下方之该矽基底中形成一渠沟。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该耐火金属层系用物理气相沉积方法溅镀。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中进行矽化金属制程所通入之气体为氮气。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中溅镀耐火金属的温度大约介于150℃-350℃之间。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中溅镀耐火金属的温度大约介于2000AA至20000AA之间。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该耐火金属与矽基底是以快速加热回火方式起反应。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中快速加热回火的温度大约介于600℃-1150℃之间。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中快速加热回火的反应时间大约介于30秒-300秒之间。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中渠沟填满绝缘物质是用化学气相沈积氧化层。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,当矽化金属反应时间及温度固定时,该渠沟的深度和溅镀耐火金属的厚度成正比。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该渠沟的深度大约介于0.05m-5m之间。第一A-一F图绘示的是一种习知上形成渠沟方法之剖面示意图;以及第二A-二G图绘示的是本发明之一较佳实施例,利用矽化金属技术以形成一渠沟结构之步骤剖面示意图。 |
