金属化的制造方法

摘要

一种金属化的制造方法，包括下列步骤：先提供一矽基底，然后在该矽基底上沈积成型一介电层。之后，在该介电层中成型一插塞。最后在该插塞上方，以 400℃-500℃的高温进行金属溅镀，成型金属层。以上述之制造方法成型金属层时，就可以使在插塞凹陷上方之每一金属层表面均平坦，有利于超大型积体电路制造厂商对堆叠介层之制作。同时，此方法并不增加任何金属化制程，甚至于可降低生产成本。

主权项

1.一种金属化的制造方法,包括下列步骤:a.提供一矽基底,在该矽基底上具有一介电层;b.在该介电层中成型一插塞;以及c.以约400℃-500℃的高温成型金属层。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤a中之该介电层可以是硼磷矽玻璃。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤a中之该介电层可以是磷矽玻璃。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤a中之该介电层可以是二氧化矽层与旋纺玻璃层的合成。5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中成型该介电层之方法为电浆加强型化学气相沈积法。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤b中之该插塞材料是钨。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤b中之该插塞材料是铝。8.如申请专利范围第6项所述之制造方法,更包括在成型插塞前,先成型一黏着层的步骤。第一a和一b图是一般金属层间的钨插塞作法之剖面示意图。第二图是显示传统成型两层金属层后的剖面示意图。第三图是利用本发明成型两层金属层后的剖面示意图。