| 发明名称 |
INITIAL CHARGING OF SILICON MATERIAL INTO DOUBLE-LAYERED CRUCIBLE |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH09208367(A) |
申请公布日期 |
1997.08.12 |
| 申请号 |
JP19960032855 |
申请日期 |
1996.01.26 |
| 申请人 |
SHIN ETSU HANDOTAI CO LTD |
发明人 |
NAGAI NAOKI;ODA MICHIAKI |
| 分类号 |
C30B15/02;C30B15/12;C30B29/06;(IPC1-7):C30B15/02 |
主分类号 |
C30B15/02 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
