功率半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及具有控制闩锁的杂质注入结构的功率半导体器件，提供能改善闩锁并使制造工艺简单化，可缩小芯片尺寸的功率半导体器件及其制造方法。依照在高浓度n⁺型半导体层14内的低浓度的p^-型阱19内，在设于前述阱19表面的高浓度n⁺型源结区25之间设置掺以高浓度杂质的p⁺型阴极接触区27的工艺；及在前述阴极接触区27与前述阱19之间，覆盖前述源结区25的下部作延伸，在前述阱19内设置掺以比前述阴极接触区27的杂质浓度低，比前述阱19的杂质浓度高的杂质的p型杂质扩散区24的工艺来制造功率半导体器件。

主权项

1.一种功率半导体器件，包括：掺以高浓度杂质的第一导电类型的半导体基片12；设于前述第一导电类型的半导体基片12上的掺以高浓度的杂质的第二导电类型的缓冲层13；经外延生长设于前述缓冲层13上的低浓度的第二导电类型的半导体层14；在前述半导体层14上形成，通过氧化膜15设置的栅多晶硅膜16；在前述栅多晶硅膜16之间所设置的掺以低浓度杂质第一导电类型的阱19；在前述阱19内形成的，部分包含前述栅多晶硅膜16的下方部位，所设置的掺以高浓度杂质的第二导电类型的源结区25；在前述阱19内形成的，前述在源结区25之间掺以高浓度的杂质的第一导电类型的阴极接触区27；在前述阱19内，设于前述阴极接触区27和前述阱19之间，覆盖前述源结区25下部，不延伸到沟道表面，以比前述阴极接触区27的杂质浓度低但比前述阱19的杂质浓度高的杂质掺杂的杂质扩散区24。