隔离半导体器件的元件的方法

摘要

一种隔离半导体器件的元件的方法，通过在衬垫氧化膜和硅衬底之间积累氮原子可以限制鸟嘴图形的产生，并且，利用湿腐蚀，在形成氮化物隔离层以后除掉在硅衬底上低温生长的氧化物，可控制硅衬底的腐蚀深度，由此，可重复生产具有优良外形的场氧化膜。

主权项

1、一种隔离半导体器件的元件的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成应力缓冲层；在含氮气体气氛中进行退火，在半导体衬底和缓冲层之间的界面处形成积累氮的层；在所得结构的整个表面上淀积防氧化层；选择地腐蚀场区的防氧化层和缓冲层，以形成第一凹进区；形成隔离层，以便限制在第一凹进区侧壁处鸟嘴图形的形成；在第一次氧化过程中形成牺牲氧化膜；用湿腐蚀工艺除掉牺牲氧化膜，以便在半导体衬底中形成第二凹进区；在第二氧化工艺形成场氧化膜。