| 发明名称 |
Method of making a FET having a recessed gate structure |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2277639(B) |
申请公布日期 |
1997.08.06 |
| 申请号 |
GB19940008190 |
申请日期 |
1994.04.25 |
| 申请人 |
* GOLDSTAR CO LTD;* LG ELECTRONICS INC |
发明人 |
JUN WHAN * JO |
| 分类号 |
H01L21/285;H01L21/308;H01L21/338;H01L29/812;(IPC1-7):H01L29/417 |
主分类号 |
H01L21/285 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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