INTEGRATED CIRCUIT SEMICONDUCTOR RANDOM ACCESS MEMORY,申请号JP19960318031-传众专利搜索

发明名称	INTEGRATED CIRCUIT SEMICONDUCTOR RANDOM ACCESS MEMORY
摘要
申请公布号	JPH09204800(A)	申请公布日期	1997.08.05
申请号	JP19960318031	申请日期	1996.11.28
申请人	TEXAS INSTR INC (TI)	发明人	DANII AARU KURAIN
分类号	G11C11/41;G11C7/00;G11C11/413;G11C29/00;G11C29/12;G11C29/18;G11C29/36;(IPC1-7):G11C29/00	主分类号	G11C11/41
代理机构		代理人
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