发明名称 SISTEMA PARA GENERAR PLASMA DE ALTA DENSIDAD.
摘要 SE GENERA UN PLASMA IONIZADO DE ALTA DENSIDAD EN UNA CAMARA FUENTE (10''), UTILIZANDO UNA ANTENA DE CUADRO UNICO (12'') DISPUESTA EN UN PLANO QUE INTERCEPTA PERPENDICULARMENTE EL EJE CENTRAL DE LA CAMARA FUENTE O FORMANDO UN ANGULO MENOR Y SEPARADO DEL EXTREMO CERRADO DE LA CAMARA. CON UN CAMPO MAGNETICO LONGITUDINAL Y UN GAS REACTIVO O INERTE INYECTADO A LA CAMARA FUENTE, LA EXCITACION DE LA ANTENA CON UNA ENERGIA DE RF DENTRO DE LA GAMA DE 5 A 30 MHZ, ESTABLECE EL MODO DE EXCITACION M = 0 O LOS COMPONENTES DE LOS DOS MODOS M = 0 Y M = 1. SE CREAN UNAS ONDAS SILBANTES DE BAJA FRECUENCIA QUE GENERAN UN PLASMA DE ALTA DENSIDAD Y UNIFORME Y UNA CORRIENTE ALTA DE PLASMA. LA FUENTE DE PLASMA ASI DEFINIDA SE UTILIZA JUNTO CON DISTITOS TIPOS DE CAMARAS DE PROCESO EN QUE LOS CAMPOS MAGNETICOS MODULADOS EN EL TIEMPO O TIPO ESTATICO MEJORAN LA DISTRIBUCION Y UNIFORMIDAD DEL PLASMA EN UN SUSTRATO A CORROER, DEPOSITAR O BOMBARDEAR IONICAMENTE.
申请公布号 ES2102497(T3) 申请公布日期 1997.08.01
申请号 ES19920905727T 申请日期 1992.02.04
申请人 PLASMA & MATERIALS TECHNOLOGIES, INC. 发明人 CAMPBELL, GREGOR, A.;CONN, ROBERT, W.;PEARSON, DAVID, C.;DECHAMBRIER, ALEXIS, P.;SHOJI, TATSUO
分类号 C23C14/34;C23C16/50;C23C16/511;C23F4/00;H01J37/32;H01L21/205;H01L21/302;H05H1/46;(IPC1-7):H01J37/32 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人
主权项
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