发明名称 |
REGULADOR DE CORRIENTE ALTERNA. |
摘要 |
<p>LA INVENCION SE REFIERE A UN CONTROLADOR DE CORRIENTE ALTERNA QUE TRABAJA CON AL MENOS DOS REGIONES (1,2) DE SEMICONDUCTOR EN DISPOSICION ANTISERIE. CADA REGION (1,2) SEMICONDUCTOR DISPONE DE UN DONADOR (3; SOURCE) DE ELECTRONES, UN ACEPTADOR (4; DRAIN) DE ELECTRONES Y ELECTRODO (5, GATE) DE CONTROL DE FLUJO DE ELECTRONES CON CURVAS CARACTERISTICAS SIMILARES A LAS DE FET. COMO TECNOLOGIA ESENCIAL LA REGION SEMICONDUCTOR DISPONE TAMBIEN DE DIODOS DE CUERPO INTERNO. LA INVENCION HA PREVISTO QUE EN CADA CASO (6; 7) DE GATE-SOURCE, A TRAVES DE LA REGION (1,2) SEMICONDUCTOR EN DIRECCION HACIA ADELANTE, SE AJUSTE A LO LARGO DE LAS LIMITACIONES DESEADA DE LA CORRIENTE GENERADA EN LA DISPOSICION DRAIN-SOURCE. EL VOLTAJE (7; 6) GATE-SOURCE A TRAVES DE LA REGION SEMICONDUCTOR EN DIRECCION INVERSA DE OPERACION (2; 1) SE AJUSTA SUFICIENTEMENTE DE FORMA QUE EL DIODO (8) DE CUERPO PERMANECE SIN CORRIENTE.</p> |
申请公布号 |
ES2102673(T3) |
申请公布日期 |
1997.08.01 |
申请号 |
ES19930918962T |
申请日期 |
1993.09.08 |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
MAIER, REINHARD;ZIERHUT, HERMANN;MITLEHNER, HEINZ |
分类号 |
H02H9/02;H02H;H02H3/00;H02H9/04;H02M5/22;H03K;H03K17/08;H03K17/082;H03K17/687;(IPC1-7):H02H9/02 |
主分类号 |
H02H9/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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