SEMICONDUCTOR LASER WITH BURIED HETERO-STRUCTURE, AND ITS MANUFACTURE,申请号JP19960006827-传众专利搜索

发明名称	SEMICONDUCTOR LASER WITH BURIED HETERO-STRUCTURE, AND ITS MANUFACTURE
摘要
申请公布号	JPH09199788(A)	申请公布日期	1997.07.31
申请号	JP19960006827	申请日期	1996.01.18
申请人	NEC CORP	发明人	SUZUKI TAKAFUMI
分类号	H01S5/00;(IPC1-7):H01S3/18	主分类号	H01S5/00
代理机构		代理人
主权项
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