| 发明名称 | 半导体装置及其保护方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，具有：主开关器件，具有高电压一侧主电极(12)、低电压一侧主电极(18)和第1栅极电极(17)；电场检测器件(20a)，具有与主开关器件产生的规定电场相对应，以不通过上述主开关器件内部的路径，使上述高电压一侧主电极与上述第1栅极电极之间变成导通状态的MOS构造(23，26，27)；导通电压施加装置(R<SUB>g</SUB>)，依据上述导通状态给上述第1栅极电极加上导通电压。 | ||
| 申请公布号 | CN1155784A | 申请公布日期 | 1997.07.30 |
| 申请号 | CN96112047.9 | 申请日期 | 1996.11.06 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 大村一郎;小仓常雄;松下宪一 |
| 分类号 | H03K17/567 | 主分类号 | H03K17/567 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，具备有：主开关器件，具有高电压一侧主电极(12)、低电压一侧主电极(18)和第1栅极电极(17)；电场检测器件(20a)，具有MOS构造(23、26、27)，该MOS构造与在上述主开关器件上所产生的规定电场相对应，以与上述主开关器件的内部不同的路径，使上述高电压一侧主电极与上述第1栅极电极间变成为通导状态；导通电压施加装置(Rg)，用于依据上述导通状态给上述第1栅极电极加上导通电压； | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||