| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：InP衬底；沟道层以及：Al<SUB>x1</SUB>Ga<SUB>1-x1</SUB>As<SUB>y1</SUB>P<SUB>z1</SUB>Sb<SUB>1-y1-z1</SUB>(0≤x1≤1，0≤y1＜1，0＜z1≤1)电子供给层。电子亲和力小于沟道层的电子供给层中掺有n型杂质。在350℃左右的热处理中，n型AlGaAsPSb的电气特性不会改变，这样就制作出一种热稳定的、高可靠的HEMT在制作和工作过程中，其选择性几乎不随时间而变化。此外，容易高自由度地制作出一种由电子供给层和沟道层构成的、具有满意的能带结构的异质结构，从而极大地提高了设计器件的自由度。 | ||
| 申请公布号 | CN1155774A | 申请公布日期 | 1997.07.30 |
| 申请号 | CN96122622.6 | 申请日期 | 1996.10.10 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 山本佳嗣;早藤纪生 |
| 分类号 | H01S3/025;H01L29/12;H01L21/18 | 主分类号 | H01S3/025 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；以及位于该半导体衬底上的AlxGa1-xAsyPzSb1-y-z(0≤x≤1，0≤y＜1，0＜z≤1)层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||