| 发明名称 | 氮化硅陶瓷电路基片及使用该陶瓷基片的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种包括室温下的热导率为80w/mk以上氮化硅陶瓷板1和通过玻璃层3粘接到氮化硅陶瓷板上1的金属板2的电路板，及一种其中安装在所说电路基片的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1155759A | 申请公布日期 | 1997.07.30 |
| 申请号 | CN96114418.1 | 申请日期 | 1996.09.27 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 加曾利光男;堀口昭宏;角野裕康;上野文雄 |
| 分类号 | H01L23/00 | 主分类号 | H01L23/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种电路基片，包括：室温下的热导率为80W/mK以上的氮化硅陶瓷板，和通过玻璃层粘接到氮化硅陶瓷板上的金属板。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||