首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Impurity doped polysilicon growth apparatus
摘要
申请公布号 GB2309590(A) 申请公布日期 1997.07.30
申请号 GB19970001444 申请日期 1997.01.24
申请人 * NEC CORPORATION 发明人 TAKAO * AKIYAMA
分类号 H01L21/285;C23C16/24;C23C16/44;C23C16/455;C30B25/14;H01L21/205;H01L21/22;(IPC1-7):H01L21/205 主分类号 H01L21/285
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com