Semiconductor integrated circuit including P-channel MOS transistors having different threshold voltages,申请号EP19910115846-传众专利搜索

发明名称	Semiconductor integrated circuit including P-channel MOS transistors having different threshold voltages
摘要
申请公布号	EP0477758(B1)	申请公布日期	1997.07.30
申请号	EP19910115846	申请日期	1991.09.18
申请人	FUJITSU LIMITED	发明人	OKAJIMA, YOSHINORI
分类号	H01L21/8234;H01L21/82;H01L21/8249;H01L27/02;H01L27/06;H01L27/088;H03K19/017;H03K19/0185;(IPC1-7):H01L27/088	主分类号	H01L21/8234
代理机构		代理人
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