| 发明名称 | 栅电极及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种在非晶硅上层叠有硅化钨的构造的栅电极，包括在半导体衬底上部形成的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上部由乙硅烷气体形成的非晶硅层；在所述非晶硅层上部形成的、含微量质杂的硅化钨层，所述非晶硅层具有可防止所述杂质向栅绝缘膜侧渗透的粒度尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN1155159A | 申请公布日期 | 1997.07.23 |
| 申请号 | CN96121474.0 | 申请日期 | 1996.12.15 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 崔在成 |
| 分类号 | H01L21/285;H01L21/768;H01L23/52 | 主分类号 | H01L21/285 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 杨梧 |
| 主权项 | 1、一种栅电极，其特征在于，具有在半导体衬底上部形成的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上部由乙硅烷气体形成的非晶硅层；在所述非晶硅层上部形成的、含有微量杂质的硅化钨层，所述非晶硅层具有可防止所述杂质向栅绝缘膜侧渗透的粒度尺寸。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||