降低了光栅畸变的偏转线圈系统

摘要

一种具有大的平面荧光屏和4∶3纵横比的阴极射线管的偏转线圈系统，包括鞍形垂直偏转线圈。后端部(14a，14c)的大部分匝绕线都集中靠近在线圈的电子束入口端。垂直偏转磁场的峰值位置(VPEAK，Fig.6)和垂直偏转中心(Z(c)，Fig.6)相对于水平偏转磁场的相应的峰值(HPEAK，Fig.6)和偏转中心(HDEFL CTR，Fig.6)向电子枪的入口端偏移。因而，不再需要北—南磁铁来减少枕形畸变。另外，比起峰值不偏移的情况，获得了更短的偏转线圈系统。

主权项

1、一种安装在阴极射线管的颈部的偏转线圈系统，包括：由磁性材料制成的一个铁芯(17)；一水平偏转线圈(18H)，置于所述铁芯附近，用于产生水平偏转磁场；以及一垂直偏转线圈(18V)，置于所述铁芯附近，用于产生垂直偏转磁场，线圈(18V)包括一对鞍形线圈，每个线圈具有多匝绕线以形成沿所述偏转线圈系统的纵向(Z)延伸的第一和第二侧部(71)、置于所述第一和第二侧部之间靠近所述偏转线圈系统的屏幕端的一前端匝部分(72)以及置于所述侧部之间远离所述屏幕端的后端匝部分(14a、14c)，所述后端匝部分的形成方式是，将其所有匝的绕线的主要部分集中在靠近所述电子枪端以便使在包括所述后端匝部分的所有匝绕线的50％的所述后端匝部分中包括最靠近所述电子枪端的绕组(80)在内的一个区域长度(在80和83之前)，和所述垂直偏转磁场(λ＝107mm)的所述有效长度之间的比(0.1)保持小于0.15，从而使得垂直偏转中心(Z(c))相对于水平偏转中心向所述偏转线圈系统的电子枪侧偏移以致于将所述偏转中心分开的一第一长度(DIFF)和所述垂直偏转磁场的所述有效长度间的比(0.13)大于0.09，从而显著地减少光栅畸变。