制备自对准硅化物结构半导体器件的方法

摘要

一种制作半导体器件的方法，包括步骤：a.在半导体基底的上面形成一金属膜；b.采用热处理方法处理基底使金属膜和硅起反应而在栅电极和源/漏区上形成金属硅化物薄膜；c.将金属膜中尚未硅化的部分刻蚀掉；并再包括步骤d.采用等离子体强化的化学汽相沉积法将残留在尚未刻蚀掉的尚未硅化的部分或金属膜除掉。本方法适用于自对准的硅化结构的半导体器件，凭借等离子强化的化学汽相沉积法使得有可能完全去除形成在边墙上的金属薄膜或金属硅化物薄膜。

主权项

1.一种制作半导体器件的方法，包括步骤为：(a)在一下半导体基底(1)的上面形成一金属膜(6)，所说的基底(1)包含有在其表面上的一栅电极(3)，所说栅电极(3)的边表面上覆盖着的绝缘边墙(5)，和在其中已形成的源和漏区(4)；(b)用热处理方法处理所说的半导体基底(1)使所说的金属膜(6)与硅起反应而在所说的栅电极(3)和所说的源和漏区(4)上都形成一金属硅化物薄膜(7)；(c)将所说金属膜(b)中尚未硅化的部分刻蚀掉；其特征在于：步骤(d)采用等离子体强化的化学汽相沉积法除去步骤(c)中所说的边墙(5)上残留的尚未刻蚀掉的所说的尚未硅化的部分(7a)，所说的步骤(d)是在继步骤(c)之后进行的。