| 发明名称 |
MANUFACTURE OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH09191019(A) |
申请公布日期 |
1997.07.22 |
| 申请号 |
JP19960261035 |
申请日期 |
1996.10.01 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRON CORP |
发明人 |
TANABE MITSURU;YANAGIHARA MANABU;NISHII KATSUNORI;MATSUNO TOSHINOBU |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/338;H01L29/41;H01L29/47;H01L29/80;H01L29/812;H01L29/872;(IPC1-7):H01L21/338;H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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