隔离制程的方法

摘要

一种隔离制程的方法，其步骤包括：提供一矽基底，其上并形成有一绝缘层，该绝缘层并定义出至少一窗口，以作为井预定区；以及选择性形成一杂质同步掺杂过的磊晶矽层于该井预定区内，构成一井，且以位于该井区两侧之绝缘层做为隔离区。

主权项

1.一种隔离制程的方法,其步骤包括:提供一矽基底,其上并形成有一绝缘层,该绝缘层并定义出至少一窗口,以作为井预定区;以及选择性形成一杂质同步掺杂过的磊晶矽层于该井预定区内,构成一井,且以位于该井区两侧之绝缘层做为隔离区。2.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该绝缘层是二氧化矽,其较佳厚度约为5000A。3.如申请专利范围第1项所述的方法,其中该磊晶矽层是利用HCl/SiCl2H2/H2/PH3所组成的气体于温度约介于800-950℃间以化学气相沈积法形成的。4.如申请专利范围第4项所述的方法,其中该磊晶矽层形成时并以选自于磷、砷所成之族群的N型杂质同步掺杂布植之,而形成一N型井区。5.如申请专利范围第4项所述的方法,其中该磊晶矽层形成时并以选自于硼、氟化硼、乙烷硼所成之族群的P型杂质同步掺杂布植之,而形成一P型井区。图示简单说明:第一A-一C图系习知一种场氧化层的制造流程剖面图;第二A-二D图系习知一种沟渠隔离区的制造流程剖面图;以及第三A-三C图系绘示本发明之一较佳实施例,一种隔离区的制造流程剖面图。