| 主权项 |
1.一种具有沟槽之晶方护环结构,置于一晶圆之基板上,当延着一切割道切割晶圆时,用以防止切割应力冲击晶方之内部电路,该晶方护环结构包括:一缓冲区,该缓冲区紧邻该晶方之内部电路;一封环,置于该缓冲区相对该晶方之内部电路之另一面,该封环系由至少一金属层和至少一介电层堆叠而成;以及一缓冲间隔,置于该封环和该切割道之间,该缓冲间隔于该基板上具有一沟槽,藉以强化该晶方护环保护内部电路之特性。2.如申请专利范围第1项所述之晶方护环结构,其中,该缓冲间隔的宽度在3微米至50微米之间。3.一种具有沟槽之晶方护环结构制造方法,用以形成如第1项所述之晶方护环结构,其包括下列步骤:利用一光罩定义该晶方护环结构之缓冲间隔;以及蚀刻该缓冲间隔上残余介电质以及该缓冲间隔区域之晶圆基板,藉以在该晶圆基板中形成该沟槽。4.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中,该缓冲间隔上残余介电质为氧化矽时,系利用缓冲式氢氟酸溶液进行湿蚀刻加以去除。5.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中,该缓冲间隔上残余介电质为氮化矽时,系利用磷酸在180℃进行湿蚀刻加以去除。6.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中,蚀刻该缓冲间隔区域之晶圆基板之方式,系利用硝酸和氢氟酸进行湿蚀刻加以去除。7.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中,硝酸和氢氟酸之混合溶液系利用醋酸加以稀释。8.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中,蚀刻该缓冲间隔上残余介电质的步骤,系利用CHF3.SF6.He的混合气体进行反应式离子蚀刻制程达成。9.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中,蚀刻该缓冲间隔上残余介电质的步骤,系利用含氟碳化合物气体进行反应式离子蚀刻制程达成。10.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中,蚀刻该缓冲间隔区域之晶圆基板的步骤,系利用CF4和Ar混合气体进行反应式离子蚀刻制程达成。11.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中,蚀刻该缓冲间隔区域之晶圆基板的步骤,系利用含氟碳化合物气体进行反应式离子蚀刻制程达成。12.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中,蚀刻该缓冲间隔区域之晶圆基板的步骤,系利用氯气和氯化硼之混合气体进行反应式离子蚀刻制程达成。图示简单说明:第一图为切割晶圆后一个独立晶方的顶视图。第二图为习知简单堆叠式晶方护环结构之侧视剖面图。第三图为习知插塞式晶方护环结构之侧视剖面图。第四图和第五图为本发明之晶方护环结构之侧视剖面流程图。 |
