| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 目的是提供在Si衬底上边形成高品质的CaN系列化合物半导体层的半导体器件，构成是具备：Si衬底1；在Si衬底1上边形成的、由GaAs或As构成的应力吸收层2；在该应力吸收层2上边形成的由其组成为Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x-y</SUB>In<SUB>y</SUB>N(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物构成的缓冲层3；在该缓冲层3上边形成的、其组成为Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x-y</SUB>In<SUB>y</SUB>N(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物半导体层4。 | ||
| 申请公布号 | CN1154568A | 申请公布日期 | 1997.07.16 |
| 申请号 | CN96122669.2 | 申请日期 | 1996.10.25 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 蒂哈德·马克斯;川津善平;早藤纪生 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征是具备有：Si衬底(1)；形成于该Si衬底上的，由GaAs构成的应力吸收层；形成于该应力吸收层上边的，由组成为AlxGa1-x-yInyN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物构成的缓冲层；形成于该缓冲层上边的，组成为AlxGa1-x-yInyN(0≤x≤1，0≤y≤1)的化合物半导体层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||