| 发明名称 |
MANUFACTURE OF MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH09186325(A) |
申请公布日期 |
1997.07.15 |
| 申请号 |
JP19960348081 |
申请日期 |
1996.12.26 |
| 申请人 |
L JII SEMICON CO LTD |
发明人 |
JIEONNFUAN SON;SANNDON RI |
| 分类号 |
H01L21/335;H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/823 |
主分类号 |
H01L21/335 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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