METHOD FOR FORMING CONTACT HOLE IN SEMICONDUCTOR ELEMENT,申请号JP19960344370-传众专利搜索

发明名称	METHOD FOR FORMING CONTACT HOLE IN SEMICONDUCTOR ELEMENT
摘要
申请公布号	JPH09186145(A)	申请公布日期	1997.07.15
申请号	JP19960344370	申请日期	1996.12.25
申请人	GENDAI DENSHI SANGYO KK	发明人	KAKU ROSEI;KIN SHIYUNKAN
分类号	H01L21/28;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/768;H01L23/522;(IPC1-7):H01L21/306	主分类号	H01L21/28
代理机构		代理人
主权项
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