| 发明名称 |
DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR A STRUCTURE MESA ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF |
| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur et un procédé de fabrication de celui-ci.<BR/>Le dispositif est caractérisé en ce qu'il comprend des couches d'enfouissement mesa comprenant une couche d'enfouissement (6) en InP du type p et une couche d'enfouissement (7) en InP du type n réalisée par croissance épitaxiale sur des surfaces latérale et supérieure de la couche (6) et l'épaisseur critique Dn de la couche (7) réalisée par croissance sur la surface (001) lorsque la couche (7) n'est pas réalisée par croissance sur la surface (111) B de la couche (6) est représentée par<BR/>(CF DESSIN DANS BOPI)<BR/>une épaisseur D de la couche (7) réalisée par croissance sur la surface (001) satisfaisant la relation de D =< Dn .<BR/>L'invention trouve application dans des systèmes de communication optique.</P> |
| 申请公布号 |
FR2743197(A1) |
申请公布日期 |
1997.07.04 |
| 申请号 |
FR19960016133 |
申请日期 |
1996.12.27 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
TAKEMI MASAYOSHI;KIMURA TATSUYA;SUZUKI DAISUKE;SHIBA TETSUO |
| 分类号 |
H01L21/20;H01S5/00;H01S5/20;H01S5/22;H01S5/227;H01S5/323 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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