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<p>Ein MOS-Transistor weist eine Gateelektrode (33) mit T-förmigem Querschnitt auf. Die Gatelänge wird in einem ersten Strukturierungsschritt durch eine Spacertechnik definiert. Die Ausdehnung der Gateelektrode im oberen Bereich wird in einem zweiten Strukturierungsschritt definiert. Der MOS-Transistor ist mit einer Kanallänge unter 100 nm herstellbar.</p> |
