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发明名称 Verfahren zur Bildung eines Kontaktloches bei einem Halbleiterbauelement
摘要
申请公布号 DE19654560(A1) 申请公布日期 1997.07.03
申请号 DE19961054560 申请日期 1996.12.27
申请人 HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD., ICHON, KYOUNGKI, KR 发明人 KWAK, NOH JUNG, SEOUL/SOUL, KR;KIM, CHOON HWAN, SEOUL/SOUL, KR
分类号 H01L21/28;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/768;H01L23/522;(IPC1-7):H01L21/311;H01L21/321 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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